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HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
引用本文:朱西安 孙 浩 王成刚 胡小燕 刘 明. HgCdTe微台面红外焦平面技术研究[J]. 激光与红外, 2005, 35(11): 826-828
作者姓名:朱西安 孙 浩 王成刚 胡小燕 刘 明
作者单位:华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015;华北光电技术研究所,北京,100015
摘    要:文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 ×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5. 0μm。

关 键 词:HgCdTe  微台面结构  干法刻蚀  侧向钝化
文章编号:1001-5078(2005)11-0826-03
收稿时间:2005-08-26
修稿时间:2005-08-26

Study of HgCdTe Micro-mesa Infrared Focal Plane Arrays
ZHU Xi-an,SUN Hao,WANG Cheng-gang,HU Xiao-yan,LIU Ming. Study of HgCdTe Micro-mesa Infrared Focal Plane Arrays[J]. Laser & Infrared, 2005, 35(11): 826-828
Authors:ZHU Xi-an  SUN Hao  WANG Cheng-gang  HU Xiao-yan  LIU Ming
Abstract:
Keywords:HgCdTe   micro-mesa   dry-etching   side-wall passivation
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