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| Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料 | |
| 作者姓名： | 殷景志 高福斌 马艳 纪永成 赵强 王一丁 汤艳娜 索辉 杜国同 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，吉林省科技厅科研项目 |
| 摘 要： | 综述了近年来对InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系.InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm,有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe. |
| 关 键 词： | Ⅱ型超晶格 红外 探测器 |
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