热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响 |
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作者姓名: | 罗胜耘 谢泉 张晋敏 肖清泉 金石声 朱林山 闫万珺 陈坤 罗娇莲 Koji Yamada Kiyoshi Miyake |
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作者单位: | 贵州大学,计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室,贵阳,550025;贵州大学,计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室,贵阳,550025;长沙理工大学,物理与电子科学系,长沙,410076;日本Saitama大学机能材料工学科,日本,Saitama,338-8570 |
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基金项目: | 湖南省教育厅青年基金(03B006),湖南省自然科学基金(04JJ3030),国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403),贵州省教育厅重点基金(05JJ002),贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001) |
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摘 要: | 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
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关 键 词: | 环境半导体材料 β-FeSi2 IBD 退火温度 |
文章编号: | 1000-5269(2006)01-0081-05 |
收稿时间: | 2005-11-16 |
修稿时间: | 2005-11-16 |
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