| Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究 |
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| 引用本文： | 闵新民 邢学玲 朱磊. Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1154-1155 |
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| 作者姓名： | 闵新民 邢学玲 朱磊 |
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| 作者单位： | 闵新民（武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070）;邢学玲（武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070）;朱磊（武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(20271040) |
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| 摘 要： | 用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.
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| 关 键 词： | 硅化镁 掺杂 电子结构 热电性能 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1154-02 |
| 修稿时间： | 2004-03-01 |
Electronic structure andthermoelectric property of Mg2Si and series of doping Sb, Te and Ag |
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| MIN Xin-min. Electronic structure andthermoelectric property of Mg2Si and series of doping Sb, Te and Ag[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 1154-1155 |
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| Authors: | MIN Xin-min |
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| Keywords: | |
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