| 高压下TATB晶体结构的理论研究 |
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| 引用本文： | 张朝阳,舒远杰,赵晓东,王新锋.高压下TATB晶体结构的理论研究[J].含能材料,2004,12(Z1):551-554. |
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| 作者姓名： | 张朝阳 舒远杰 赵晓东 王新锋 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院化工材料研究所基金支持项目(42101060102) |
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| 摘 要： | 采用Material Studio/CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明(1)当外压在0.1～10GPa时,TATB晶胞主要沿c轴方向变动;且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大;(2)在几十个GPa的条件下,TATB可压缩至密度超过2.5g/cm3,而能量升高不多;(3)在0.1～100GPa条件下,TATB晶体为半导体,而过渡到导体的压力大概为几百个GPa,此时TATB分子结构已被破坏.
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| 关 键 词： | TATB晶体结构 高压 理论研究 |
Theoretical Investigation on Structure of Crystalline TATB at High Pressure |
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