| 多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 周艺,肖斌,黄燕,金井升,郭长春,欧衍聪. 多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响[J]. 材料导报, 2012, 26(16): 35-37,46 |
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| 作者姓名： | 周艺 肖斌 黄燕 金井升 郭长春 欧衍聪 |
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| 作者单位： | 1. 长沙理工大学化学与生物工程学院,长沙,410004
2. 湖南神州光电能源有限公司,长沙,410205 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，长沙市科技局重点攻关项目 |
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| 摘 要： | 重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。
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| 关 键 词： | 扩散 氧化层 少子寿命 太阳电池 多晶硅 |
Influence of Multicrystalline Silicon Diffusion Oxide Layer on Solar Cell Performance |
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| ZHOU Yi , XIAO Bin , HUANG Yan , JIN Jingsheng , GUO Changchun , OU Yancong. Influence of Multicrystalline Silicon Diffusion Oxide Layer on Solar Cell Performance[J]. Materials Review, 2012, 26(16): 35-37,46 |
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| Authors: | ZHOU Yi XIAO Bin HUANG Yan JIN Jingsheng GUO Changchun OU Yancong |
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| Affiliation: | 1 (1 School of Chemistry and Bioengineering,Changsha University of Science,Changsha 410004; 2 Hunan Shenzhou Solar Energy Co,Ltd,Changsha 410205) |
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