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CVV俄歇电子谱的退自卷积计算
作者姓名:肖斌  李展平  何炜
作者单位:清华大学电子工程系,清华大学电子工程系,清华大学电子工程系 北京 100084,北京 100084,北京 100084
摘    要:本文简述了对CVV俄歇电子谱峰退自卷积得到固体表面价带电子占有态密度(DOS)的方法。并讨论了退自卷积的算法,尤其是新的计算方法——下降法。采用这种方法对一些假想和实际的态密度分布函数进行了自卷积计算及其结果的逆计算——退自卷积。获得较fdLM法更为满意的结果。

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