首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究
引用本文:杨国洪,范恒.GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究[J].科技通讯(上海),1995(2):50-54.
作者姓名:杨国洪  范恒
摘    要:本文提出一种以GaAsMESFET双层金属布线工艺和SDFL电路形式为基础的GaAs600门门阵列基片的结构,阐述了实用GaAs单元库的设计准则和方法,并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式,几何结构,内部布线及对输入输出的考虑,实用GaAs门阵列设计系统已在COMPACAD工作站上建立,文中给出了一个用该系统设计的应用实例。

关 键 词:砷化镓  门阵列  电路设计
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号