GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究 |
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引用本文: | 杨国洪,范恒.GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究[J].科技通讯(上海),1995(2):50-54. |
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作者姓名: | 杨国洪 范恒 |
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摘 要: | 本文提出一种以GaAsMESFET双层金属布线工艺和SDFL电路形式为基础的GaAs600门门阵列基片的结构,阐述了实用GaAs单元库的设计准则和方法,并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式,几何结构,内部布线及对输入输出的考虑,实用GaAs门阵列设计系统已在COMPACAD工作站上建立,文中给出了一个用该系统设计的应用实例。
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关 键 词: | 砷化镓 门阵列 电路设计 |
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