| Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能 |
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| 引用本文： | 闫伟超,孙汝杰,陈凌翔,吕建国,叶志镇.Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能[J].材料科学与工程学报,2015(6):814-817. |
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| 作者姓名： | 闫伟超 孙汝杰 陈凌翔 吕建国 叶志镇 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点研究计划资助项目，国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O(NZTO)薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 非晶态 薄膜 退火 |
Fabrication and Characterization of Amorphous Nb-Zn-Sn-O Thin Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering amorphous thin films annealing |
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