| 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制 |
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| 引用本文： | 方健,张正璠,雷宇,乔明,李肇基,张波.有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制[J].半导体学报,2005,26(3):541-546. |
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| 作者姓名： | 方健 张正璠 雷宇 乔明 李肇基 张波 |
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| 作者单位： | [1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]中国电子科技集团第24研究所,重庆400060 |
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| 基金项目： | 国家军事电子预研基金
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p－降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.
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| 关 键 词： | 高压LDMOS RESURF原理 横向变掺杂 击穿电压 埋层 结构 横向变掺杂 LDMOS RESURF Layer Double Novel 功率集成电路 生产线 优化设计 影响 器件耐压 浓度分布 长度 分析 MEDICI 器件仿真软件 改善 兼容性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0541-06 |
| 修稿时间： | 2004年5月2日 |
Realization of A Novel 1200V VLD Double RESURF LDMOS with n-Bury Layer |
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| Fang Jian,Zhang Zhengfan,Lei Yu,Qiao Ming,Li Zhaoji,Zhang Bo.Realization of A Novel 1200V VLD Double RESURF LDMOS with n-Bury Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):541-546. |
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| Authors: | Fang Jian Zhang Zhengfan Lei Yu Qiao Ming Li Zhaoji Zhang Bo |
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| Abstract: | A novel VLD double RESURF structure with n bury layer is proposed in order to realize 1200V LDMOS on thin epitaxial layer.Compared with conventional double RESURF LDMOS,process compatibility of the devices with standard CMOS process is improved,because of using a thin epitaxial layer.The relationships between breakdown voltage and length and concentration of n bury layer,and concentration profile of p layer also are analyzed by using 2D devices simulator MEDICI.Hence,optimization designs for devices structure and its process are achieved.Finally,1200V VLD double RESURF LDMOS with n bury layer is realized and it is applied in 1200V power integrated circuits. |
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| Keywords: | high voltage LDMOS RESURF principle variety lateral doping breakdown voltage |
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