|
|||||
|
|
| 重掺硅衬底片的内吸除效应 | |
| 作者姓名： | 张红娣 郝秋艳 张建峰 张建强 李养贤 刘彩池 |
| 作者单位： | 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(N0.60076001) 河北省自然科学基金(No.500025) 河北省博士基金(No.502061) 天津市自然科学基金项目(No.043602511) |
| 摘 要： | 本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽. |
| 关 键 词： | 重掺杂硅单晶 热处理 内吸除, |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)05-0781-03 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 | |
