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| 高透过低吸收KCl单晶生长 | |
| 作者姓名： | 权宁三 陈国权 王人淑 高兆发 金继华 |
| 作者单位： | 中科院上海光机所，中科院上海光机所，中科院上海光机所，中科院上海光机所，中科院上海光机所 |
| 摘 要： | 本文介绍一种生长卤化物单晶的方法——注入式反应气氛下降法(称IRABP法).采用该法已获得φ75×75的优质 KCl单晶。用10.6μmCO_2激光量热卡计测量单晶的体吸收系数β_(10.6■1～2×10~(-4)cm~(-1)。讨论各种工艺参数对晶体质量的影响。 |
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