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高压液封原位合成直拉半绝缘GaAs单晶
作者姓名:
夏德谦
摘 要:
<正>近年来国际上对场效应器件及集成电路用半绝缘GaAs单晶开展了大量研究工作,取得了一定的进展.目前采用下述几种方法生长GaAs单晶:(1)高压液封原位合成直拉法,(2)低压液封直拉法(预合成多晶料),(3)低压液封直接合成直拉法,(4)水平三温区法.其中方法(1)是一种液Ga和液As反应合成GaAs后直拉得到单晶的方法.其余均为液Ga和As蒸气缓慢反应合成GaAs后再生长单晶的方法.
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