| 后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响 |
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| 引用本文： | 姬凯迪,高灿灿,杨发顺,熊倩,马奎.后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响[J].人工晶体学报,2021,50(6):1056-1061. |
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| 作者姓名： | 姬凯迪 高灿灿 杨发顺 熊倩 马奎 |
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| 作者单位： | 1.贵州大学电子科学系,贵阳 550025; 2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025; 3.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61664004);半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01)) |
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| 摘 要： | 近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,后退火处理往往是提高薄膜质量的关键工艺步骤。本文研究后退火工艺中退火温度和退火气氛对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜材料的影响。X射线衍射和原子力显微镜表征结果表明:在氮气气氛下退火,退火温度为1 000 ℃时得到的β-Ga2O3薄膜质量较优;相同的温度下,氧气气氛退火比氮气气氛退火更有利于提升薄膜的结晶性能、降低表面粗糙度;在氧气气氛下,1 000 ℃退火得到的薄膜质量相对比900 ℃退火得到的薄膜质量好。
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 β-Ga2O3 射频磁控溅射 退火氛围 结晶性能 表面粗糙度 |
| 收稿时间： | 2021-04-02 |
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