| 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应 |
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| 引用本文： | 文林,李豫东,郭旗,孙静,任迪远,崔江维,汪波,玛丽娅.电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应[J].微电子学,2015,45(4):537-540, 544. |
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| 作者姓名： | 文林 李豫东 郭旗 孙静 任迪远 崔江维 汪波 玛丽娅 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11005152) |
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| 摘 要： | 为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。
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| 关 键 词： | 深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 |
| 收稿时间： | 2014/6/11 0:00:00 |
Total Ionizing Dose Effects Induced by Electron in Deep Submicron MOS Devices |
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| WEN Lin,LI Yudong,GUO Qi,SUN Jing,REN Diyuan,CUI Jiangwei,WANG Bo and MA Liya.Total Ionizing Dose Effects Induced by Electron in Deep Submicron MOS Devices[J].Microelectronics,2015,45(4):537-540, 544. |
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| Authors: | WEN Lin LI Yudong GUO Qi SUN Jing REN Diyuan CUI Jiangwei WANG Bo and MA Liya |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China,Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China and Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, P.R.China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Deep submicron NMOSFET Electron irradiation Total ionizing dose effect |
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