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| MOS结构中的两类慢界面态 | |
| 引用本文： | 高文钰,严荣良,大西一功.MOS结构中的两类慢界面态[J].半导体学报,1996,17(8):607-610. |
| 作者姓名： | 高文钰 严荣良 大西一功 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反，ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央．并探讨了这些慢态的微观机理． |
| 关 键 词： | MOS结构 慢界面态 微观机理 MOS器件 |
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