| 双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量 |
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| 引用本文： | 金海岩,张利春. 双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量[J]. 半导体学报, 2001, 22(4): 456-459 |
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| 作者姓名： | 金海岩 张利春 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京100871 |
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| 摘 要： | 采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量 .在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下 ,应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得禁带变窄量 .这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG.利用这种方法测试了硅双极器件和锗硅基区双极器件 ,其基区禁带变窄量分别为
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| 关 键 词： | 双极晶体管 锗硅基区 禁带变窄量 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）04-0456-04 |
| 修稿时间： | 2000-06-08 |
Electrical Determination of Bandgap Narrowing in Bipolar Transistors with Si and SiGe Bases |
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| JIN HAI-YAN,ZHANG Li-chun. Electrical Determination of Bandgap Narrowing in Bipolar Transistors with Si and SiGe Bases[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(4): 456-459 |
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| Authors: | JIN HAI-YAN ZHANG Li-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bipolar transistors SiGe base bandgap narrowing |
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