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| 铒掺杂富硅热氧化SiO2/Si发光薄膜的显微结构 | |
| 引用本文： | 徐飞,肖志松,程国安,易仲珍,曾宇昕,张通和,顾岚岚.铒掺杂富硅热氧化SiO2/Si发光薄膜的显微结构[J].光谱学与光谱分析,2001,21(6). |
| 作者姓名： | 徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 |
| 作者单位： | 1. 复旦大学应用物理表面国家重点实验室,上海,200433 2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875 3. 南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 (697660 0 1 )，复旦大学应用表面物理国家重点实验室资助 |
| 摘 要： | 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 4μm附近光致发光光谱 |
| 关 键 词： | MEVVA离子源 铒 光致发光 显微结构 |
Microstructure of Erbium-doped Si-rich Thermal Oxidation SiO2/Si Luminescent Thin Films |
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| XU Fei ,XIAO Zhi song ,CHENG Guo an ,YI Zhong zhen ,ZENG Yu xin ,ZHANG Tong he ,and GU Lan lan.Microstructure of Erbium-doped Si-rich Thermal Oxidation SiO2/Si Luminescent Thin Films[J].Spectroscopy and Spectral Analysis,2001,21(6). | |
| Authors: | XU Fei XIAO Zhi song CHENG Guo an YI Zhong zhen ZENG Yu xin ZHANG Tong he and GU Lan lan |
| Affiliation: | XU Fei 3,XIAO Zhi song 2,CHENG Guo an 1,YI Zhong zhen 2,ZENG Yu xin 1,ZHANG Tong he 2,and GU Lan lan 3 1 Department of Materials Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang 330047,China 2 Key Laboratory in University for Rad |
| Abstract: | |
| Keywords: | MEVVA ion source Erbium doping Photoluminescence Microstructure |
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