| CMOS／SOI电路模拟与参数提取 |
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| 引用本文： | 甘学温 奚雪梅. CMOS／SOI电路模拟与参数提取[J]. 电子学报, 1995, 23(11): 96-98 |
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| 作者姓名： | 甘学温 奚雪梅 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所 |
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| 摘 要： | ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。
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| 关 键 词： | CMOS／SOI 电路模拟 器件参数提取 |
CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction |
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| Gan Xuewen,Xi Xuemei,Li Yimin,Wang Yangyuan. CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, 23(11): 96-98 |
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| Authors: | Gan Xuewen Xi Xuemei Li Yimin Wang Yangyuan |
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| Abstract: | A unified and systematic parameter extraction for SOI MOSFET's has been presented,thereby the CMOS/SOI ICs simulation can use simulator such as SPICE after implemented with SOI MOSFET model. The results show that the SOI MOSFET model and the utilization of extraction program are trustworthy. |
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| Keywords: | CMOS/SOI ICs simulation Device parameter extraction |
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