| 精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法 |
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| 引用本文： | 张鸿欣.精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法[J].半导体学报,2001,22(5):646-651. |
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| 作者姓名： | 张鸿欣 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学CAD所,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876029; |
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| 摘 要： | 三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞晶体管进行建模 ,子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻 .热电一体分析除了涉及 Vbe随温度变化外 ,还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应 (以下称面积效应 ) .与对有源区各点直接进行分析相比 ,子胞建模不仅大大简化了计算 ,而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参
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| 关 键 词： | 可靠性 热模拟 双极微波功率器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)05-0646-06 |
| 修稿时间： | 2000年5月19日 |
Precise Prediction on the Operating Peak Junction Temperature for Power Microwave Si BJT |
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| ZHANG Hong-xin.Precise Prediction on the Operating Peak Junction Temperature for Power Microwave Si BJT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(5):646-651. |
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| Authors: | ZHANG Hong-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reliability thermal simulation bipolar microwave power transistor |
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