二极管器件漏电失效分析及改进措施

通过外观检查、开盖检查、 I/V曲线测试、微光显微镜观测和扫描电子显微镜检查等分析手段，结合芯片结构，对漏电失效的二极管器件进行分析，定位器件的失效位置，确定器件漏电失效的机理。形成一套针对半导体分立器件的失效分析流程，并对漏电失效模式提出了相应的优化改进措施。