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杂志ISSN号
电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
作者姓名:
容志滔
黄雁
作者单位:
工业和信息化部电子第五研究所
摘 要:
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLCSP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
关 键 词:
电池保护电路
金属氧化物半导体场效应晶体管
晶圆级芯片规模封装
失效分析
失效定位
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