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| 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器 | |
| 作者姓名： | 劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 刘成 谢正生 龚谦 |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm. |
| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 隧道结 |
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