| 用1/f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能 |
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| 引用本文： | 王党会,许天旱,谢端,王党朝.用1/f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能[J].半导体技术,2008,33(7):571-574. |
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| 作者姓名： | 王党会 许天旱 谢端 王党朝 |
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| 作者单位： | 西安石油大学,材料科学与工程学院,西安710065;西安邮电学院,西安,710061;咸阳师范学院,陕西,咸阳,712000 |
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| 基金项目： | 总装"十一五"国防预研项目 |
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| 摘 要： | 介绍了用于航空航天DC/DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频1/f噪声的变化.研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值电压漂移、跨导的退化对1/f噪声幅值、γ值的影响.结合实验,比较器件1/f噪声幅值和γ值在辐照前后的变化,对其抗辐照性能做表征研究.对VDMOS器件在辐照前后的变化做了分析,从γ值分形的角度简要说明辐照对器件产生的影响.
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| 关 键 词： | 纵向双扩散金属氧化物半导体 辐照 1/f噪声 γ值 |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)07-0571-04 |
| 修稿时间： | 2008年3月19日 |
Characterization of VDMOS' Anti-Radiation Performance with 1/f Noise |
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| Wang Danghui,Xu Tianhan,Xie Duan,Wang Dangchao.Characterization of VDMOS'''' Anti-Radiation Performance with 1/f Noise[J].Semiconductor Technology,2008,33(7):571-574. |
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| Authors: | Wang Danghui Xu Tianhan Xie Duan Wang Dangchao |
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| Affiliation: | Wang Danghui1,Xu Tianhan1,Xie Duan2,Wang Dangchao3 (1.Materials Science , Engineering Institute,Xi\'an Shiyou University,Xi\'an 710065,China,2.Xi\'an Institute of Post , Telecommunications,Xi\'an 710061,3.Xianyang Normal University,Xianyang 712000,China) |
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