| 一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 铁宏安.一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2009,29(3). |
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| 作者姓名： | 铁宏安 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。
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| 关 键 词： | 全球定位系统接收机 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 |
Design of a Single-chip CMOS LNA for GPS Receiver |
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| TIE Hong'an.Design of a Single-chip CMOS LNA for GPS Receiver[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2009,29(3). |
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| Authors: | TIE Hong'an |
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| Affiliation: | TIE Hong'an(Nanjing Electronics Devices Institute,Nanjing,210016,CHN) |
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| Abstract: | A CMOS LNA matching with on-chip inductor for GPS receiver was designed and fabricated using 0.18 μm mixed CMOS progress.The LNA worked at 8 mA/1.8 V,exhibited 20 dB gain with noise figure below 1.7 dB and-10 dBm IIP3. |
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| Keywords: | GPS RECEIVER CMOS LNA NF |
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