| n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性 |
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| 引用本文： | 王光峰,陈忠景,何乐年. n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性[J]. 半导体技术, 2005, 30(8): 62-64,19 |
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| 作者姓名： | 王光峰 陈忠景 何乐年 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息与电子工程学系,杭州,310027;浙江大学,信息与电子工程学系,杭州,310027;浙江大学,信息与电子工程学系,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.
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| 关 键 词： | 氮化镓 欧姆接触 退火 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)08-0062-03 |
Electrical Characteristics of Ti/Al/Ti/Au Multilayer Ohmic Contacts to n-type GaN |
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| WANG Guang-Feng,CHEN Zhong-jing,HE Le-nian. Electrical Characteristics of Ti/Al/Ti/Au Multilayer Ohmic Contacts to n-type GaN[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(8): 62-64,19 |
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| Authors: | WANG Guang-Feng CHEN Zhong-jing HE Le-nian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Ohmic contact annealing |
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