| 高边缘击穿和扩展光谱的圆形单光子雪崩二极管 |
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| 引用本文： | 金湘亮,曾朵朵,彭亚男,杨红姣,蒲华燕,彭艳,罗均.高边缘击穿和扩展光谱的圆形单光子雪崩二极管[J].红外与毫米波学报,2019,38(4):403-407. |
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| 作者姓名： | 金湘亮 曾朵朵 彭亚男 杨红姣 蒲华燕 彭艳 罗均 |
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| 作者单位： | 湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭411105;湖南师范大学物理与电子科学学院,湖南长沙410081;湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭411105;上海大学机电工程与自动化学院,上海200444 |
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| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China 61774129 61827812 61704145;Changsha Science and Technology Project kq1801035Supported by National Natural Science Foundation of China (61774129, 61827812, 61704145)，and Changsha Science and Technology Project（kq1801035）. |
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| 摘 要： | 介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-well结,p-well保护环和多晶硅保护环组成.通过Silvaco TCAD 3D器件仿真,直径为10μm的圆形p+/deep n-well SPAD器件具有较高边缘击穿特性.此外,p+/deep n-well结SPAD比p+/n-well结SPAD具有更长的波长响应和扩展光谱响应范围.该器件在0. 5 V过量偏压下,可在490～775 nm波长范围内实现超过40%的光子探测率.该圆形p+/deep n-well SPAD器件在25℃时具有较好雪崩击穿为15. 14 V,具有较低暗计数率为638 Hz.
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| 关 键 词： | 单光子雪崩二极管(SPAD) 边缘击穿 暗计数率 光谱扩展 |
| 收稿时间： | 2018/12/6 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/5/24 0:00:00 |
Circular single-photon avalanche diode withhigh premature edge breakdown and extended spectrum |
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| JIN Xiang-Liang,ZENG Duo-Duo,PENG Ya-Nan,YANG Hong-Jiao,PU Hua-Yan,PENG Yan and LUO Jun.Circular single-photon avalanche diode withhigh premature edge breakdown and extended spectrum[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2019,38(4):403-407. |
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| Authors: | JIN Xiang-Liang ZENG Duo-Duo PENG Ya-Nan YANG Hong-Jiao PU Hua-Yan PENG Yan and LUO Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single-photon avalanche diode(SPAD) premature edge breakdown (PEB) dark count rate(DCR) spectral expansion |
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