Ag-Cu-Ti连接SiC/SiC接头界面反应和界面结构 |
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引用本文: | 刘岩,黄政仁,刘学建.Ag-Cu-Ti连接SiC/SiC接头界面反应和界面结构[J].人工晶体学报,2009(Z1). |
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作者姓名: | 刘岩 黄政仁 刘学建 |
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摘 要: | 三元Ag-Cu-Ti活性钎料连接常压烧结SiC陶瓷。通过XRD(X-ray diffraction)、EPMA(electron probe microanalysis)和TEM(transmission electron microscopy)研究了SiC/Ag-Cu-Ti界面反应和界面结构。结果表明:焊料中的活性元素Ti与SiC发生化学反应在界面处形成连续致密的反应层,界面反应产物为TiC和Ti5Si3,整个界面形成SiC/TiC/Ti5Si3/Ag-Cu-Ti焊料的结构,其中TiC层晶粒大小约为10 nm左右并且连续分布,而Ti5Si3层晶粒大小差异大(100~500 nm)且不连续,这种差异是由于TiC的高成核率和Ti5Si3的低成核率而产生的。
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