首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

32 微电子器件SEU灵敏体积研究
作者姓名:路秀琴 刘建成 郭继宇 郭刚 沈东军 惠宁 倪嵋楠 孔福全 张庆祥 黄治 张振龙 韩建伟
作者单位:[1]不详 [2]中国科学院空间科学与应用研究中心
摘    要:航天微电子器件灵敏体积(Sv)的厚度d在预估空间单粒子效应中是一个关键参数。这是由于多数预估单粒子翻转(SEU)率的模型都用到灵敏体积的概念。人们假定器件灵敏区是个长方的六面体(RPP模型),当入射粒子在该长方六面体中沉积的能量大于临界能量时引起SEU等事件。由于缺乏灵敏体积的准确信息,通常采用2μm的厚度,使预估得出不满意的结果。器件灵敏层前面的死层厚度也严重的影响测量和预估的结果。研究从实验上测量灵敏体积(Sv)的实际大小,是精确预估器件空间SEE率的关键。

关 键 词:微电子器件 SEU 灵敏 体积 PP模型 临界能量 单粒子效应 单粒子翻转 关键参数
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号