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| 离子注入aGe/Au双层膜分形区的高分辨电镜观察 | |
| 引用本文： | 侯建国,吴自勤,陈峻.离子注入aGe/Au双层膜分形区的高分辨电镜观察[J].电子显微学报,1988(3). |
| 作者姓名： | 侯建国 吴自勤 陈峻 |
| 作者单位： | 中国科技大学基础物理中心，中国科技大学基础物理中心，南京大学微结构物理实验室 |
| 摘 要： | 在以前的工作中,我们证明了在aGe/Au退火膜中的Ge结晶区是一种具有空间相关不变性分形结构,本文报道了在离子注入aGe/Au双层膜中出现的分形区的微观结构。样品采用真空蒸积法並在室温下进行离子注入。图1(a)是样品在100℃、4b退火后的形貌相,白色区域的平均分数维数为1.69±0.01,衍射表明它含有Ge晶体,黑色区域则基本上已经没有Ge的衍射,微分析结果表明在退火过程中,Ge原子向白色区域聚集,而Au原子则反之。图1(b)为样品在300℃,0.5h退火后的形貌相,它的平均维数为1.77±0.01。不同的分形结构,它们的微观结构也有很大差别。图2是低分维分形区的高分辨象,Ge晶粒较小,取向随机,並且有很多缺陷和位错。高分维区域的晶粒要大得 |
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