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| 准分子激光线宽对光刻性能的影响 | |
| 引用本文： | 刘逸轩,周金运,欧阳琴.准分子激光线宽对光刻性能的影响[J].应用激光,2010(2). |
| 作者姓名： | 刘逸轩 周金运 欧阳琴 |
| 作者单位： | 广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州,510006 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，广东省科技计划项目，广东工业大学重大项目培育专项 |
| 摘 要： | 描述了激光线宽对光刻过程的影响模型建立过程中所使用的方法.成像透镜产生的色差结合实际激光光谱可以把激光线宽的影响包括在光刻模拟的模型中,使用PROLITH软件模拟了线宽对空间像的临界尺寸、焦深、曝光宽容度的影响,孤立线和半孤立线条尺寸在240nm到140nm的范围内完成研究.实验结果表明,光刻过程中增加激光线宽使空间成像质量变差,较大的线宽也导致了曝光宽容度的损失. |
| 关 键 词： | 准分子激光 线宽 色差 光刻模拟 |
Effrets of Excimer Laser Linewidth on Lithographic Performance |
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