| 半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长 |
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| 引用本文： | 晏长岭,赵英杰,钟景昌.半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长[J].半导体学报,2001,22(4):446-450. |
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| 作者姓名： | 晏长岭 赵英杰 钟景昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械物理研究所,,长春光学精密机械学院 |
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| 摘 要： | 用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射率 .与此同时 ,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成 15 μm× 15 μm的正方形电流注入区 ,以此测定 P型反射镜的串联电阻 ,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点 ,实验得出此 P型反射镜的串联电阻仅为 5 0 Ω 左右 .在生长过程中 ,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中 ,生长这种半
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| 关 键 词： | 分布布拉格反射镜(DBR) 超晶格 分子束外延(MBE) 反射谱 串联电阻 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）04-0446-05 |
| 修稿时间： | 2000年7月1日 |
Semiconductor/Superlattice Distributed Bragg Reflector Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| YAN Chang-ling,ZHAO Ying-jie,ZHONG Jing-chang.Semiconductor/Superlattice Distributed Bragg Reflector Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(4):446-450. |
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| Authors: | YAN Chang-ling ZHAO Ying-jie ZHONG Jing-chang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Distributed Bragg Reflector (DBR) superlattice Molecular Beam Epitaxy (MBE) reflection spectrum series resistance |
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