液封Czochralski技术生长的InP单晶中位错产生和传播的X射线形貌观察

用x射线衍射形貌研究了液封直拉(LEC)技术在111]方向生长的InP单晶中位错的产生和传播。首先,确定了由籽晶向生长晶体传播的位错的类型,并描述了采用缩颈过程的影响。柏格斯矢量的确定表明,位错是固着型的,柏格斯矢量平行于<(?)>方向,沿<(?)>方向传播。其次描述了晶体生长期间集结于晶体表面的位错传播。观察了位错的滑动传播,滑动是在三个向下倾斜的{111}滑移面上,它与(?)]生长方向倾斜。对LEC生长晶体中高位错密度的有关机理进行了讨论。