| 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响 |
| |
| 引用本文： | 石彪,刘学超,周仁伟,杨建华,郑燕青,施尔畏. 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 856-859 |
| |
| 作者姓名： | 石彪 刘学超 周仁伟 杨建华 郑燕青 施尔畏 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201899 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金项目(51002176);中国科学院重要方向项目(KJCX2-EW-W10) |
| |
| 摘 要： | 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.
|
| 关 键 词： | 3C-SiC 碳化 结晶质量 缓冲层, |
Effects of Carbonization Temperature on the Crystal Quality and Surface Morphology of Heteroepitaxial 3C-SiC Films |
| |
| SHI Biao,LIU Xue-chao,ZHOU Ren-wei,YANG Jian-hua,ZHENG Yan-qing,SHI Er-wei. Effects of Carbonization Temperature on the Crystal Quality and Surface Morphology of Heteroepitaxial 3C-SiC Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(5): 856-859 |
| |
| Authors: | SHI Biao LIU Xue-chao ZHOU Ren-wei YANG Jian-hua ZHENG Yan-qing SHI Er-wei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
