| 等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响 |
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| 引用本文： | 张林睿,周炳卿,张丽丽,李海泉.等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响[J].人工晶体学报,2013,42(3):418-422. |
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| 作者姓名： | 张林睿 周炳卿 张丽丽 李海泉 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51262022);内蒙古自然科学基金(2009MS0806) |
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| 摘 要： | 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.在优化其它沉积参数的条件下,研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响.通过X射线衍射谱,拉曼光谱,红外吸收谱以及SEM来表征了微晶硅薄膜材料的微结构.结果显示:随着射频功率的增加,微晶硅薄膜的晶化率提高,晶粒尺度减小,薄膜呈小晶粒生长,薄膜中氢含量减少,微结构因子增加,薄膜生长表现出不均匀性.
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 化学气相沉积 微结构 |
Influence of RF-power on Microstructure and Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films |
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| ZHANG Lin-rui,ZHOU Bing-qing,ZHANG Li-li,LI Hai-quan.Influence of RF-power on Microstructure and Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(3):418-422. |
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| Authors: | ZHANG Lin-rui ZHOU Bing-qing ZHANG Li-li LI Hai-quan |
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