| MOS器件总剂量效应敏感参数及其损伤阈值的概率模型分析 |
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| 引用本文： | 张科营,郭红霞,何宝平,罗尹虹.MOS器件总剂量效应敏感参数及其损伤阈值的概率模型分析[J].核电子学与探测技术,2009,29(2). |
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| 作者姓名： | 张科营 郭红霞 何宝平 罗尹虹 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 |
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| 摘 要： | 针对特征工艺尺寸为0.6μm NMOS进行了60Co电离辐照试验,分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因,详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法.建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率模型,估计模型参数并对其进行了验证,结果表明,N型MOS的失效剂量更服从于威布尔函数分布;对不同辐照剂量下的NMOS敏感参数的损伤程度进行了统计分析,结果表明,器件的关态漏电流的增加量服从威布尔分布,关态漏电流在同等置信度下的不确定度随辐照总剂量增大.
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| 关 键 词： | 场氧隔离 概率模型 不确定度 |
Analysis of Sensitive Parameter and Damage Threshold Probability Models for MOS Devices Total Dose Irradiation Effects |
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| ZHANG Ke-ying,GUO Hong-xia,HE Bao-ping,LUO Yin-hong.Analysis of Sensitive Parameter and Damage Threshold Probability Models for MOS Devices Total Dose Irradiation Effects[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2009,29(2). |
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| Authors: | ZHANG Ke-ying GUO Hong-xia HE Bao-ping LUO Yin-hong |
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