| Ga掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 |
| |
| 引用本文： | 蒋志年,张飞鹏,张忻,路清梅,张久兴. Ga掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究[J]. 原子与分子物理学报, 2015, 32(2): 303-307 |
| |
| 作者姓名： | 蒋志年 张飞鹏 张忻 路清梅 张久兴 |
| |
| 作者单位： | 广西民族师范学院,河南城建学院，北京工业大学 |
| |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度,在此基础上分析了其电性能.计算结果表明,掺杂ZnO氧化物晶格a,b轴增大,c轴略有减小;Ga掺杂ZnO氧化物两能带之间具有0.6eV的直接带隙,需要载流子(电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小;掺杂体系费米能级附近的态密度大大提高,其能带主要由Gas态、Zns态和Os态电子构成,且他们之间存在着强相互作用,其中Gas态电子对导带贡献最大.电输运性能分析结果表明,Ga掺杂ZnO氧化物导电机构由Znp-Op电子在价带与导带的跃迁转变为Gas-Znd-Os电子在价带与导带的跃迁,这也表明Gas态电子在导电过程中的重要作用;掺杂体系费米能级附近的载流子有效质量较未掺杂体系增大,且价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小.
|
| 关 键 词： | ZnO氧化物 Ga掺杂 电子结构 电输运性能 |
Research on Electronic Structure and Electrical Properties of Ga Doped ZnO |
| |
| Jiang ZN and Zhang FP. Research on Electronic Structure and Electrical Properties of Ga Doped ZnO[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2015, 32(2): 303-307 |
| |
| Authors: | Jiang ZN and Zhang FP |
| |
| Affiliation: | Guangxi Normal University for Nationalities, |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
