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| 氢促进位错发射的分子动力学模拟 | |
| 作者姓名： | 周国辉 |
| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系!北京100083(周国辉,万发荣,褚武扬),中国科学院力学研究所!北京100080(周富信),北京科技大学应用物理研究所!北京100083(赵雪丹,张文清,陈难先) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :19392 30 0 6 ) |
| 摘 要： | 利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 .计算表明 ,氢在裂尖富集后能形成许多小气团 ,同时使平衡空位浓度升高 |
| 关 键 词： | 氢 位错发射 分子动力学 计算机模拟 金属 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
