| DMOS阈值电压二维模型 |
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| 引用本文： | 李泽宏,张波,李肇基,方健,杨舰. DMOS阈值电压二维模型[J]. 半导体学报, 2004, 25(6): 715-719 |
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| 作者姓名： | 李泽宏 张波 李肇基 方健 杨舰 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子研究所 成都610054(李泽宏，张波，李肇基，方健)，电子科技大学微电子研究所 成都610054(杨舰) |
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| 摘 要： | 提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2e16～ 10 e 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .
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| 关 键 词： | double-diffusion MOSFET 阈值电压 二维阈值电压模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)06-0715-05 |
| 修稿时间： | 2003-05-12 |
2D Threshold Voltage Model of DMOS |
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| Li Zehong,Zhang Bo,Li Zhaoji,Fang Jian and Yang Jian. 2D Threshold Voltage Model of DMOS[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(6): 715-719 |
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| Authors: | Li Zehong Zhang Bo Li Zhaoji Fang Jian Yang Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double-diffusion MOSFET threshold voltage 2D threshold voltage model |
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