| 基于非辐射复合缺陷测量的GaN基LED老化性能研究 |
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| 引用本文： | 郭祖强,钱可元. 基于非辐射复合缺陷测量的GaN基LED老化性能研究[J]. 半导体光电, 2013, 34(6): 930-934 |
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| 作者姓名： | 郭祖强 钱可元 |
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| 作者单位： | 清华大学 深圳研究生院 深圳市信息科学与技术重点实验室，广东 深圳 518055;清华大学 深圳研究生院 深圳市信息科学与技术重点实验室，广东 深圳 518055 |
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| 摘 要： | 外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1 600h前后的I-V特性、理想因子以及量子效率、发光特性进行了测量研究,并结合非辐射复合缺陷的定量测量,分析验证了非辐射复合缺陷对LED老化性能的影响。结果表明,非辐射复合缺陷是造成GaN基LED老化过程中隧穿电流增大、I-V特性偏离理想模型、理想因子增大以及光输出非线性化等现象的根本因素。在此基础上建立了非辐射复合缺陷浓度与LED老化性能之间的关系模型,提出了一种基于非辐射复合缺陷浓度及其恶化系数的GaN基LED老化性能评测方法。
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| 关 键 词： | 非辐射复合缺陷 GaN基LED 老化性能 |
| 收稿时间： | 2013-05-03 |
Study on Aging Properties of GaN LEDs Based on the Measurement of Nonradiative Recombination Defect Density |
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| GUO Zuqiang;QIAN Keyuan. Study on Aging Properties of GaN LEDs Based on the Measurement of Nonradiative Recombination Defect Density[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2013, 34(6): 930-934 |
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| Authors: | GUO Zuqiang QIAN Keyuan |
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| Affiliation: | GUO Zuqiang;QIAN Keyuan;Key Lab.Information Science and Technology,Graduate School at Shenzhen of Tsinghua University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nonradiative recombination defect GaN based LEDs aging property |
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