|
|||||
|
|
| KH550-GO复合栅介质低压氧化物薄膜晶体管 | |
| 作者单位： | ;1.江苏大学机械工程学院;2.南京大学电子科学与工程学院 |
| 摘 要： | 采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯(KH550-GO)新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高达2.18×10~(–6)F/cm~2。通过自组装法,借助磁控溅射仪,仅需一次掩膜,即可同时生成晶体管的沟道与源漏电极。利用半导体参数分析仪在室温黑暗的条件下测量该晶体管的电学特性,结果表明,KH550-GO栅介质氧化物薄膜晶体管具有优良的电学性能,其工作电压仅为2 V、饱和电流为580μA、亚阈值摆幅108 m V/dec、开关比4×10~7、场效应迁移率16.7 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。 |
| 关 键 词： | 有源层 非晶铟锌氧化物 双电层效应 KH550-GO复合栅介质 薄膜晶体管 场效应迁移率 |
Low-voltage oxide thin film transistor made of KH550-GO composite dielectrics |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
