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SOI结构M-Z型调制器的有限元法分析
引用本文:赵策洲,刘恩科,李国正,高勇,刘西钉.SOI结构M-Z型调制器的有限元法分析[J].电子与信息学报,1997,19(1):141-144.
作者姓名:赵策洲  刘恩科  李国正  高勇  刘西钉
作者单位:西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系 西安 710049,西安 710049,西安 710049,西安 710049,西安 710049
基金项目:国家“863”计划基金
摘    要:本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p+n结大注入时该调制器的电学性质,从而为实际研制成这种干涉型调制器打下了理论基础。

关 键 词:集成光学    调制器    有限元法    SOI
收稿时间:1995-3-9
修稿时间:1996-1-4

FINITE ELEMENT ANALYSIS OF THE SOI STRUCTURE M-Z INTERFEROMETRIC MODULATOR
Zhao Cezhou,Liu Enke,Li Guozheng,Gao Yong,Liu Xiding.FINITE ELEMENT ANALYSIS OF THE SOI STRUCTURE M-Z INTERFEROMETRIC MODULATOR[J].Journal of Electronics & Information Technology,1997,19(1):141-144.
Authors:Zhao Cezhou  Liu Enke  Li Guozheng  Gao Yong  Liu Xiding
Affiliation:Electronic Engineering Department,Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049
Abstract:A new method for analysing SOI (Silicon on Insulator) structure Mach-Zehnder inter-ferometric modulator by using finite element method is put forward. On the basis of the theory of the single-mode SOI rib optical waveguides with large cross-section, the electro-optic modulating mechanism of the modulator is investigated by using the plasma dispersion effect, and the electrical characteristics of the device is analysed by using the finite element method at p+n junction large injected. So the method provides a basis of the theory for the device to be fabricated.
Keywords:Integrated optics  Modulator  Finite element method  SOI material  
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