| 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析 |
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| 作者姓名： | 杨维凯 王海龙 曹春芳 严进一 赵旭熠 周长帅 龚谦 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165,曲阜师范大学物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050,曲阜师范大学物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61674096)和山东省自然科学基金(ZR2014FM011)资助项目 (1.曲阜师范大学物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165； 2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050) |
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| 摘 要： | 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm2,在室温连续波 工作模式下,测得激光器的内量子效率 为61.1%,内部损耗为8.3cm－1,激光 输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性 能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特 性。器件激射 波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件, 腔长越长,器件工作波长越长,工作波 长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。
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| 关 键 词： | 分子束外延 阈值电流密度 量子阱 激射波长 |
| 收稿时间： | 2017-12-29 |
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