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| 980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化 | |
| 作者姓名： | 李特 宁永强 郝二娟 崔锦江 张岩 刘光裕 秦莉 刘云 王立军 崔大复 许祖彦 |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室;吉林大学农学部;中国科学院理化技术研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60636020,60676034,60577003,60706007);吉林省科技发展计划(批准号:20080335)资助项目 |
| 摘 要： | 根据DBR的工作原理,以P型DBR为例,通过研究DBR的能带结构详细分析了不同的渐变区宽度和不同的掺杂浓度下的DBR的电学特性和反射特性.选用Al0.9Ga0.1As和Al0.1Ga0.9As作为DBR的材料,设计了980 nmVCSELs的P型DBR,通过比较确定了Al组分渐变区的宽度和整个DBR结构的掺杂浓度.依此结构制作了980 nm底发射VCSELs,器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示器件的串联电阻约为0.05Ω. |
| 关 键 词： | VCSEL DBR 组分渐变 串联电阻 反射率 |
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