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| 半导体硅生长工艺的发展动向 | |
| 作者姓名： | 张伟或 |
| 作者单位： | 峨眉半导体材料研究所 |
| 摘 要： | 在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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