| InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵结构特性与设计 |
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| 引用本文： | 邓晖,陈弘达,梁琨,杜云,唐君,黄永箴,潘钟,马晓宇,吴荣汉,王启明. InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵结构特性与设计[J]. 半导体学报, 2001, 22(2): 113-116 |
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| 作者姓名： | 邓晖 陈弘达 梁琨 杜云 唐君 黄永箴 潘钟 马晓宇 吴荣汉 王启明 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所国家集成光电子重点实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所国家集成光电子重点实 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号：69896260，69789802)． |
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| 摘 要： | 讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 ,证明了器件结构的设计和分析是准确的
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| 关 键 词： | 谐振腔 SEED 面阵 光电子器件 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）02-0113-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-19 |
Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure |
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| DENG Hui. Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(2): 113-116 |
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| Authors: | DENG Hui |
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| Abstract: | The influence of DBR in resonant cavity on the characteristics of the reflectivity of InGaAs/GaAs MQW SEED arrays has been discussed. InGaAs/GaAs acting as the active region of MQW SEED to gain 980nm work wavelergth has been introduced. A new resonant cavity structure of the InGaAs/GaAs MQW SEED arrays has been designed and analyzed. The MQW materials grown by MOCVD system have also been measured and analyzed with micro optical spot reflection spectra, PL measurement and X ray measurement. The results of measurement prove the good quality of the wafer and the accuracy of our design and analysis of the structure of the device. |
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| Keywords: | resonant cavity SEED arrays optoelectronics devices |
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