脉冲真空电弧离子源工艺参数对薄膜厚度分布的影响 |
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引用本文: | 李刚,蔡长龙,等.脉冲真空电弧离子源工艺参数对薄膜厚度分布的影响[J].真空科学与技术,2002,22(12):67-70. |
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作者姓名: | 李刚 蔡长龙 |
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作者单位: | 西安工业学院光电科学与工程系,西安710032 |
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摘 要: | 薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要的因素,利用脉冲真空电弧离子镀技术在Si基片上沉积山类金刚石薄膜,采用轮廓仪对膜的厚度进行了测量,研究服不同工艺参数对薄膜均匀性的影响。实验结果表明:脉冲离子源阴极和基片的距离,主回路工作电压以及沉积频率对薄膜均匀性有不同程度的影响。根据分析结果,找出最佳工艺参数,通过比较两种离子源的结果表明,离子源结构对其镀膜均匀性有较大的影响。
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关 键 词: | 脉冲真空电弧 离子源 工艺参数 薄膜 厚度分布 脉冲电弧离子镀 厚度均匀性 制备 |
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