| 宽束离子源的均匀性分析 |
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| 引用本文： | 刘洪祥,张云洞,李凌辉,熊胜明.宽束离子源的均匀性分析[J].光电工程,2002,29(5):59-61. |
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| 作者姓名： | 刘洪祥 张云洞 李凌辉 熊胜明 |
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| 作者单位： | 中科院光电技术研究所,成都,四川,610209 |
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| 基金项目： | 国家863高技术项目资助 |
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| 摘 要： | 在离子束溅射和离子辅助沉积光学薄膜技术中，离子源是其中最关键的单元技术之一。通过测试宽束离子源束流密度的空间分布，研究了影响离子束均匀性分布的两个主要因素；加速电压和E／B。结果表明，随着加速电压的增加，离子束束流密度的分布趋向均匀；而E／B对离子束均匀性的影响不大。
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| 关 键 词： | 离子束溅射 离子源 均匀性 光学薄膜 |
| 文章编号： | 1003-501X(2002)05-0059-03 |
| 收稿时间： | 2002/4/12 |
| 修稿时间： | 2002年4月12日 |
Uniformity Analysis for Broad-beam Ion Source |
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| LIU Hong-xiang,ZHANG Yun-dong,LI Ling-hui,XIONG Sheng-ming.Uniformity Analysis for Broad-beam Ion Source[J].Opto-Electronic Engineering,2002,29(5):59-61. |
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| Authors: | LIU Hong-xiang ZHANG Yun-dong LI Ling-hui XIONG Sheng-ming |
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| Abstract: | In ion-beam sputtering deposition and ion-beam aid deposition thin film techniques, ion-beam source is one of the key techniques. Through testing density and spatial distribution of the broad-beam ion source, two main factors-accelerating voltage and E/B affecting uniformity distribution of ion-beam are studied. The results show that the ion-beam density distribution will tend to uniform with the increasing of accelerating voltage. The influence of E/B on ion-beam uniformity is small. |
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