| 掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究 |
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| 引用本文： | 范福康,周洪庆,蒋曙生,唐晓霞,张聿珍. 掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究[J]. 陶瓷科学与艺术, 1990, 0(4) |
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| 作者姓名： | 范福康 周洪庆 蒋曙生 唐晓霞 张聿珍 |
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| 作者单位： | 南京化工学院硅酸盐工程系，南京化工学院硅酸盐工程系，南京化工学院硅酸盐工程系，南京化工学院硅酸盐工程系，南京化工学院硅酸盐工程系 |
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| 摘 要： | 选择La_2O_3、V_2O_5掺杂SrTiO_3、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数,系统地研究了它们对SrTiO_3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明:V_2O_5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO_3的还原烧结温度;三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比;添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验,我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V_2O_5掺杂SrTiO_3 GBBLC。
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| 关 键 词： | 旌主掺杂物 受主添加物 化学计量比 SrTiO_3晶界层电容器 |
AN INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF DOPANT ON SrTi_3-BASED SEMICONDUCTING GRAIN BOUNDARY LAYER |
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| Fan Fukang Zhou Hongqing Jiang Xusheng Tang Xiaoxia Zhang Yuzhen. AN INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF DOPANT ON SrTi_3-BASED SEMICONDUCTING GRAIN BOUNDARY LAYER[J]. Ceramics Science & Art, 1990, 0(4) |
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| Authors: | Fan Fukang Zhou Hongqing Jiang Xusheng Tang Xiaoxia Zhang Yuzhen |
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| Affiliation: | Department of Silicate Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | donor acceptor chemical concentration ratio SrTiO_3 insulating layer conductor. |
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