| 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究 |
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| 引用本文： | 高博,刘刚,王立新,韩郑生,张彦飞,宋李梅. 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究[J]. 微电子学, 2013, 43(1): 115-119,124 |
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| 作者姓名： | 高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 宋李梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系.实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应.认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤.实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持.
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| 关 键 词： | VDMOS 抗辐射加固 总剂量辐射 剂量率辐射 辐射效应 |
Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices |
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| GAO Bo,LIU Gang,WANG Lixin,HAN Zhengsheng,ZHANG Yanfei,SONG Limei. Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices[J]. Microelectronics, 2013, 43(1): 115-119,124 |
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| Authors: | GAO Bo LIU Gang WANG Lixin HAN Zhengsheng ZHANG Yanfei SONG Limei |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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